特許
J-GLOBAL ID:200903023774061253

ホール素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 平田 忠雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-347916
公開番号(公開出願番号):特開2001-168413
出願日: 1999年12月07日
公開日(公表日): 2001年06月22日
要約:
【要約】【課題】入出力抵抗や積感度等の特性を長期間に亘り安定かつ高精度に維持することが可能なGaAsホール素子を提供する。【解決手段】GaAs結晶基板1上に、感磁部としての導電層構造10と、前記導電層構造10上に形成され前記導電層構造10と電気的に接続した電極部3と、前記導電層構造10の、前記電極部3が形成されていない領域を被覆した絶縁層4とを備えたホール素子において、前記導電層2と、前記絶縁層4の間に実質的に不純物元素を含まない半絶縁層5を設ける。
請求項(抜粋):
GaAs結晶基板上に、感磁部としての導電層構造と、前記導電層構造上に形成され、前記導電層構造と電気的に接続してなる電極部と、前記導電層構造の、前記電極部が形成されていない領域を被覆した絶縁層とを備えたホール素子において、前記導電層と前記絶縁層の間に実質的に不純物元素を含まない半絶縁層を設けたことを特徴とするホール素子。

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