半導体チップの製造方法ならびに回路基板ならびに電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-259088
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085286
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェハを極めて薄くすることが可能な半導体チップの製造方法、本発明により製造された半導体チップを実装した回路基板、およびこの回路基板を有する電子機器を提供すること。【解決手段】半導体ウェハ10において、(B)のように埋込シリコン酸化膜12を形成する。次に、(C)のように各種パターン形成工程においてパターン形成部分を形成する。最後に、(D)のように埋込シリコン酸化膜12下の部分18をウェットエッチングで除去することにより、極めて薄い半導体チップを製造できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に埋込絶縁膜を形成する第1の工程と、前記埋込絶縁膜上にパターンを形成する第2の工程と、前記半導体基板の埋込絶縁膜下の部分を除去する第3の工程と、を少なくとも有することを特徴とする半導体チップの製造方法。

前のページに戻る