特許
J-GLOBAL ID：200903023781100930
インナーストライプレーザダイオード構造及び製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-342899
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156404
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 屈折率ガイド形インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造を提供することである。【解決手段】 本インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造は、多量子ウェル層と、第1及び第2の表面を有し、前記第1の表面が前記多量子ウェル層に接触している導波層と、前記導波層の第2の表面内に突入していて、ストライプ溝によって2つの部分に分割されている電流ブロッキング層とを備えている。この電流ブロッキング層は、短周期超格子から成ることができる。
請求項（抜粋）：
インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造であって、多量子ウェル層と、第1及び第2の表面を有する導波層とを備え、前記導波層の前記第1の表面は前記多量子ウェル層に接触しており、前記構造は、更に、前記導波層の前記第2の表面内に突入している電流ブロッキング層を備え、前記電流ブロッキング層は、ストライプ溝によって2つの部分に分割されている、ことを特徴とするインナーストライプ窒化物レーザダイオード構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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