酸窒化物の浅いトレンチ分離および形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-592184
公開番号（公開出願番号）：特表2004-530304
出願日： 2002年05月17日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】STIの侵食の問題に対して改善された半導体デバイス構造の製造方法を提供する。【解決手段】酸窒化物材料を用いて、集積回路構造内に浅いトレンチ分離領域を形成する。酸窒化物は、トレンチ・ライナ(27)およびトレンチ充填材料(29)の両方に用いることができる。酸窒化物ライナ(27)は、最初に形成された酸化物トレンチ・ライナを窒化することにより形成する。酸窒化物トレンチ充填材料は(29)、SiH4およびO2の高密度プラズマ酸化物混合物を直接に付着し、かつ制御された量のNH3をプラズマ混合物に加えることにより形成する。得られた酸窒化物構造は、例えばウェット・エッチングによるトレンチ充填材料の侵食に対する抵抗がより大きくなり、さらに周囲シリコンへのストレスを最小にする。ストレスを更に減らすため、窒素濃度が充填材料の上部において最大になるように、プラズマ混合物中のO2対NH3の比を変えることによって、窒素濃度を変えてもよい。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの分離構造を形成する方法であって、半導体基板(3)内にトレンチ領域(11)を形成する工程と、前記トレンチ領域(11)内に、酸化物ライナを形成する工程と、前記酸化物ライナを窒化して、前記トレンチ領域(11)内に酸窒化物ライナ(27)を形成する工程と、前記トレンチ領域(11)を、酸素および窒素を含む充填材料の付着から形成された酸窒化物材料で直接に充填する工程とを含む、方法。

IPC (2件)：

H01L21/76 , H01L21/318

FI (2件)：

H01L21/76 L , H01L21/318 C

Fターム (23件)：

5F032AA35 , 5F032AA45 , 5F032AA46 , 5F032AA54 , 5F032AA77 , 5F032CA17 , 5F032DA04 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA28 , 5F032DA44 , 5F032DA58 , 5F032DA60 , 5F032DA74 , 5F032DA77 , 5F032DA78 , 5F058BA08 , 5F058BC11 , 5F058BF07 , 5F058BF18 , 5F058BF74 , 5F058BH04 , 5F058BJ07

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