特許

J-GLOBAL ID：200903023789718283

化学機械研磨のためのキャップされた中間層誘電体

発明者： バイ,ペン ,  カディアン,ケネス・シイ ,  チェン,リー-イェ ,  プリンス,マシュー・ジェイ
出願人/特許権者： インテル・コーポレーション
代理人 (1件)： 黒川 弘朗
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-513527
公開番号（公開出願番号）：特表平11-512877
出願日： 1996年09月23日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：

【要約】新しい高密度相互接続構造を形成する方法である。本発明によれば、最初に半導体基板を覆って絶縁層(206)を形成する。次いで第1絶縁層を平坦化する。次に、平坦化した第1絶縁層の上に第2絶縁層(212)を形成する。次いで第1および第2絶縁層を通して開口をエッチングする。次いで、開口中および第2絶縁層の上部表面上に導電材料(226)を堆積させる。次に、第2絶縁層から導電材料をポリッシュバックして、第2絶縁層とほぼ平面になる導電性に充填した開口を形成する。

請求項（抜粋）：

相互接続構造を形成する方法であって、 第1絶縁層を形成する段階と、 第1絶縁層を平坦化する段階と、 平坦化した第1絶縁層の上に第2絶縁層を形成する段階と、 第1および第2絶縁層中に開口を形成する段階と、 開口中および第2絶縁層上に導電材料を堆積させる段階と、 第2絶縁層よりも第1絶縁層の方が速く研磨される研磨プロセスを利用して、第2絶縁層から導電材料を研磨し、第2絶縁層とほぼ平面になる導電性の充填済み開口を形成する段階とを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/90 C