特許

J-GLOBAL ID：200903023794689917

半導体用シリカ系被膜形成用塗布液、半導体用シリカ系被膜及び該被膜を用いた半導体装置

発明者： 野部 茂 ,  桜井 治彰 ,  榎本 和宏
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-374415
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174026
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 比誘電率が2.0〜3.0で、LSIのCMP工程に耐える機械強度を有する低誘電率膜を提供する。【解決手段】 (a)下記一般式(1)及び(2)で表せられる化合物を共加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂【化1】R1nSiX4-n (1)(式中R1は、水素原子または炭素数1〜12の有機基、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数を意味する)【化2】R23SiO(SiR22O)nSiR23 (2)(式中R2は、水素原子または炭素数1〜8の有機基で少なくとも一つの置換基は不飽和炭化水素基であり、nは0または1の整数を意味する)(b)前記(a)成分を溶解可能な溶媒並びに(c)塩基性化合物を含むシリカ系被膜形成用組成物。

請求項（抜粋）：

(a)下記一般式(1)及び(2)で表せられる化合物を共加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂【化1】R1nSiX4-n (1)(式中R1は、水素原子または炭素数1〜12の有機基、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数を意味する)【化2】R23SiO(SiR22O)nSiR23 (2)(式中R2は、水素原子または炭素数1〜8の有機基で少なくとも一つの置換基は不飽和炭化水素基であり、nは0または1の整数を意味する)(b)前記(a)成分を溶解可能な溶媒並びに(c)塩基性化合物を含むシリカ系被膜形成用組成物。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/312 C ,  C09D183/04 ,  H01L 21/316 G

Fターム (14件)：

4J038DL031 ,  4J038KA06 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  5F058AB10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02