フラットパネル型放射線検出器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉谷勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-099658
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286183
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】放射線感応型の半導体層を覆う高耐圧の硬化性合成樹脂膜の沿面放電防止機能を損なわずに硬化性合成樹脂膜に起因する半導体層のストレスを十分に軽減する。【解決手段】この発明のフラットパネル型放射線検出器は、放射線感応型の半導体膜1と共通電極2を、有効画素領域SAを覆う薄膜部分8Aをバイアス電圧給電用のリード線4の接続領域を覆う厚膜部分8aよりも薄くした保護モールド被覆としての高耐圧の硬化性合成樹脂膜8で覆っている。硬化性合成樹脂膜8は広範囲にわたって薄くなったので、高耐圧の硬化性合成樹脂膜8に起因して放射線感応型の半導体膜1にかかるストレスを十分に軽減できる。また逆に、硬化性合成樹脂膜8ではバイアス電圧給電用のリード線4の接続領域を覆う厚膜部分8aが、有効画素領域SAを覆う薄膜部分8Aより厚くなっているので、硬化性合成樹脂膜8の沿面放電防止機能の低下を抑制できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(a)放射線の入射により電荷を生成する放射線感応型の半導体層と、(b)この半導体層の表面に形成されて半導体層にバイアス電圧を与える共通電極と、(c)半導体層と共通電極とがその順に積層され、半導体層で生じた電荷を読み出す電荷読み出し回路と画素電極用の個別電極とが形成されたアクティブマトリクス基板と、(d)有効画素領域の外側となる位置で共通電極に接続されるバイアス電圧給電用のリード線と、(e)半導体層と共通電極とを覆う高耐圧の硬化性合成樹脂膜と、(f)硬化性合成樹脂膜の表側に固定され、アクティブマトリックス基板と同程度の熱膨張係数を有する絶縁性の補助板とを備えているフラットパネル型放射線検出器において、高耐圧の硬化性合成樹脂膜は、少なくとも有効画素領域を覆う部分の膜厚がバイアス電圧給電用のリード線の接続領域を覆う部分の膜厚よりも薄くなっていることを特徴とするフラットパネル型放射線検出器。

IPC (3件)：

H01L27/14 , G01T1/00 , G01T1/24

FI (4件)：

H01L27/14 D , G01T1/00 B , G01T1/24 , H01L27/14 K

Fターム (22件)：

2G088EE01 , 2G088EE29 , 2G088FF02 , 2G088GG21 , 2G088JJ05 , 2G088JJ10 , 2G088JJ31 , 2G088JJ33 , 2G088JJ37 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA15 , 4M118CB05 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB19 , 4M118FB25 , 4M118GA10 , 4M118HA11

引用特許：

出願人引用 (1件)

放射線検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-113592 出願人：株式会社島津製作所

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