特許
J-GLOBAL ID：200903023800266020
新規レジストおよび新規レジストを用いたパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-040846
公開番号（公開出願番号）：特開平6-250393
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 化学増幅レジストのパターン露光部と未露光部の現像液に対する溶解速度の差を十分にすることにより形状のよいレジストパターンを形成する新規レジストおよび新規レジストを用いたパターン形成方法を提供する。【構成】 基板1上に、イミノスルフォニル基と酸により脱離基が脱離してアルカリ可溶性となる樹脂を含むレジスト2を形成する工程と、所望のマスク3を用いて露光する工程と、前記レジスト2をアルカリ現像してレジストパターン2Aを形成する工程とを含むパターン形成方法である。本発明のレジストは、露光後にその樹脂中の2箇所でアルカリ可溶部分(スルフォン酸基、フェノール基)をもつことから、露光部のアルカリ溶液に対する溶解速度は、従来のフェノール基のみを有する場合に比べて、著しく増大する。このように、本発明のレジストを用いてパターン形成することにより、形状の優れた微細パターンを得ることができる。
請求項（抜粋）：
イミノスルフォン酸基と酸により脱離基が脱離してアルカリ可溶性となる樹脂を含むレジスト。
IPC (3件)：
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
