特許
J-GLOBAL ID：200903023802080056
大電力用半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038154
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249734
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 TFT試験における寿命を大幅に向上させた大電力用半導体装置を提供することである。【構成】 パワー素子が実装された基板と、前記パワー素子に電気的に接続された端子ホルダと、前記パワー素子及び前記端子ホルダをケーシングする外囲器とを有し、前記外囲器と前記基板とによって形成された外囲器内側の空間に前記端子ホルダを外部に導出する形で樹脂が充填された大電力用半導体装置において、前記外囲器の側壁内側の下部に基板装着溝を設け、前記基板は、前記基板装着溝に装着されて前記外囲器の底蓋となるように構成した。
請求項（抜粋）：
断面逆凸型のセラミック板と、そのセラミック板の凸面側と反対の主表面に形成された金属部材とから成る基板と、前記基板の金属部材の表面に実装されたパワー素子とを備えたことを特徴とする大電力用半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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