特許
J-GLOBAL ID：200903023806265042
ウラン系半導体素子、そのデバイスおよび発電設備
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-334351
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168244
出願日： 1997年12月04日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：
【要約】【課題】放射性廃棄物等を熱源とすることが可能な熱電変換用のウラン系半導体素子、そのデバイスおよび発電設備を提供する。【解決手段】金属ウランに3価または5価の不純物を添加してなるウラン系半導体素子24と、このウラン系半導体素子の一面とその他面とに一対の電極3a,3bをそれぞれ介して積層された高熱伝導電気絶縁体4a,4bと、これらウラン系半導体素子と高熱伝導電気絶縁体の積層方向に直交する端面を被覆する低熱伝導電気絶縁体5a,5bと、を具備している。
請求項（抜粋）：
金属ウランにアンチモン、ビスマスもしくはリン等の5価の不純物を添加してn型に形成されてなることを特徴とするウラン系半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 35/20
, G21H 1/06
, H01L 35/32
, H02N 3/00
H01L 35/20
, G21H 1/06
, H01L 35/32 A
, H02N 3/00 A
