研磨剤

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-169007
公開番号（公開出願番号）：特開2001-348563
出願日： 2000年06月06日
公開日（公表日）： 2001年12月18日
要約：

【要約】【課題】CMP法による半導体の絶縁膜層の研磨にあたり、研磨速度の向上が図れ、同時にスクラッチ及びダストを低減できる、品質の優れた、半導体の絶縁膜層用研磨剤を提供すること。【解決手段】その二次粒子の平均粒子径が5μm以下であるセリウムとジルコニウムの複合酸化物粒子を水溶液中に分散させたスラリー液よりなる研磨剤。

請求項（抜粋）：

その二次粒子の平均粒子径が5μm以下であるセリウムとジルコニウムの複合酸化物粒子を水溶液中に分散させたスラリー液よりなる研磨剤。

IPC (3件)：

C09K 3/14 550 , B24B 37/00 , H01L 21/304 622

FI (3件)：

C09K 3/14 550 D , B24B 37/00 H , H01L 21/304 622 D

Fターム (4件)：

3C058AA07 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17

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