特許

J-GLOBAL ID：200903023813620117

半導体化ビスマス層状構造酸化物およびPTCサーミスタ素子

発明者： 岡田 益男 ,  本間 基文 ,  鄒 紅▲こう▼
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-331075
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163204
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 擬ペロブスカイト型副格子をもち、その多くが強誘電体として知られるビスマス層状構造酸化物を半導体化し、さらにPTCR特性をもたせることにより、これまでに知られているセラミックス系とは異なる系で、優れたPTCR特性を有するサーミスタ素子を得る。【構成】 式Bi4 Ti3 O12のTiに対してNbを添加して焼成することで半導体化し、さらにBiに対してSrを添加して焼成することでPTCR特性を示すサーミスタ素子が得られる。

請求項（抜粋）：

Bi4 Ti3 O12で表わされる組成において、Tiの一部がNbで置換されている半導体化ビスマス層状構造酸化物。

IPC (2件)：

H01C 7/02 ,  G01K 7/22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭49-104188
  
• 特開昭53-123899