特許

J-GLOBAL ID：200903023813844708

半導体ウェーハのライフタイム測定方法

発明者： 北村 貴文 ,  宮崎 守正
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 池条 重信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-375443
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176086
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体試料表面のライフタイム値の影響をほとんど受けることなく、必要とする試料基板中のライフタイム値を精度よく測定することが可能で、かつ簡便で同時に複数枚の処理及び測定が可能な半導体ウェーハのライフタイム測定方法。【解決手段】 表面再結合を抑制するためのケミカル・パッシベーションを、ワックス又は樹脂にて半導体試料の表面をコーティングして同表面を前記パッシベーション状態にすることで実施する。

請求項（抜粋）：

光導電減衰法を用い、表面再結合を抑制するためのケミカル・パッシベーションを実施して半導体ウェーハのライフタイムを測定する方法において、ワックス又は樹脂にて半導体試料の表面をコーティングして同表面を前記パッシベーション状態にする工程を含む半導体ウェーハのライフタイム測定方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 22/00

FI (2件)：

H01L 21/66 M ,  G01N 22/00 U

Fターム (4件)：

4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106BA09 ,  4M106CB11