特許
J-GLOBAL ID：200903023817807572
化合物半導体とその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-141806
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335241
出願日： 1992年06月02日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【構成】 ハロゲン元素を含まない水素化物及びハロゲン元素を含まない有機金属を成長用原料とするIII-V族化合物半導体薄膜の気相成長方法において、III族有機金属原料ガスと、ハライドガス及び/又はハロゲンガスを交互に成長室内に導入することを繰り返して薄膜を成長させることを特徴とする気相成長方法。【効果】 従来のMOVPE法とほとんど変わらない成長条件で成長させて、ヘテロ界面を平坦化させたり、表面モホロジーやファセット表面が平坦に改善され、また広い範囲にわたりマスク上に多結晶を堆積させずに高品質な結晶成長が可能となる。
請求項（抜粋）：
ハロゲン元素を含まない水素化物及びハロゲン元素を含まない有機金属を成長用原料とするIII-V族化合物半導体薄膜の気相成長方法において、III族有機金属原料ガスと、ハライドガス及び/又はハロゲンガスを交互に成長室内に導入することを繰り返して薄膜を成長させることを特徴とする気相成長方法。
引用特許：
前のページに戻る
