特許

J-GLOBAL ID：200903023818462340

チョクラルスキー成長型シリコンの熱履歴を制御する方法

発明者： ハロルド・ダブリュー・コーブ ,  サダシバム・チャンドラセクハー ,  ロバート・ジェイ・ファルスター ,  ジョゼフ・シー・ホルザー ,  キョン-ミン・キム ,  スティーブン・エル・キンベル ,  ラリー・イー・ドラフォール ,  スルダン・イリック
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214725
公開番号（公開出願番号）：特開平10-095698
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 インゴットと同軸を有するルツボ中に含まれるシリコン溶融物から均一な熱履歴を持つ単結晶シリコンインゴットを生産するチョクラルスキー法を提供する。【解決手段】 インゴットの末端コーン部の引上げ速度を、インゴットの本体部の第2半分に関する引上げ速度と同等の比較的一定な速度に維持する。結晶の末端コーン部を一定速度で引上げする間、溶融物に供給する熱量の増大、結晶回転速度の減少及び/又はルツボ回転速度の減少によって、この方法をさらに精密にしてもよい。本法に従って成長させた単結晶シリコンインゴットの本体部の第2半分は、フローパターン欠陥と析出酸素量の軸方向濃度が比較的均一である。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法に従って、コーン部、第1半分と第2半分とを持つ本体部、及び末端コーン部を連続して持つシリコンインゴットを回転させ、シリコンインゴットを、回転するルツボ内に含まれるシリコン溶融物から引き出す結晶成長工程中の単結晶シリコンインゴットの熱履歴を制御する方法であって、インゴットの本体部の第2半分を速度RBでシリコン溶融物から引き出し(ここにRBは、時間の関数としての結晶の本体部の第2半分に関する平均成長速度を表す)、インゴットの末端コーン部を速度REでシリコン溶融物から引き出す(ここにREは、時間の関数としての結晶の末端コーン部に関する平均成長速度を表す)ことからなり、RBに対するREの比が約0.50と約1.50の間になるように、RBとREを制御することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/20 ,  C30B 33/02

FI (3件)：

C30B 29/06 502 J ,  C30B 15/20 ,  C30B 33/02