特許
J-GLOBAL ID:200903023823465403

イオン伝導体及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 恩田 博宣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-008975
公開番号(公開出願番号):特開平10-208542
出願日: 1997年01月21日
公開日(公表日): 1998年08月07日
要約:
【要約】【課題】 基材に効果的にイオン伝導性能を付与でき、基材との密着性、機械的強度及び透明性に優れたイオン伝導体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 イオン伝導体は、アクリル樹脂板などの基材と、基材上に形成された光重合開始基を有する重合体層と、その重合体層上に形成されたイオン伝導性膜とよりなる。イオン伝導性膜は、イオン伝導性単量体、可溶性電解質塩化合物又は電解質塩単量体を含むイオン伝導性単量体の組成物を光重合開始基を有する重合体層上に塗布した後、そのイオン伝導性単量体の組成物に紫外線などの活性エネルギー線を照射することにより形成される。イオン伝導性単量体としてはポリエチレングリコールジアクリレート等、可溶性電解質塩化合物としては過塩素酸リチウム等、電解質塩単量体としてはメタクリル酸リチウム等が使用される。
請求項(抜粋):
基材と、基材上に形成された光重合開始基を有する重合体層と、その重合体層上にイオン伝導性単量体及び可溶性電解質塩化合物を含む組成物の硬化物より形成されたイオン伝導性膜とよりなり、そのイオン伝導性膜が前記重合体層の光重合開始基より誘導される光重合開始基断片を介して重合体層と結合しているイオン伝導体。
IPC (3件):
H01B 1/12 ,  C08L 51/00 ,  C08F 2/46
FI (3件):
H01B 1/12 Z ,  C08L 51/00 ,  C08F 2/46

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