特許

J-GLOBAL ID：200903023823701034

エピタキシャル膜の検査素子及びその製造方法

発明者： 山野 浩司
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-009057
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214457
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 超高速バイポーラ素子の性能を決定するエピタキシャル膜の諸特性を、工程内で簡便に測定することができるエピタキシャル膜の検査素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 P型半導体基板の主面に多結晶半導体膜と耐酸化膜(104)をパターニングし開口されたスリット部107Aと、このスリット部107Aに形成されるエピタキシャル膜と、このエピタキシャル膜に接続される測定端子引き出し用パッド部107Bを具備する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の主面に多結晶半導体膜と耐酸化膜をパターニングし開口されたスリット部と、該スリット部に形成されるエピタキシャル膜と、該エピタキシャル膜に接続される測定端子引き出し用パッド部とを具備することを特徴とするエピタキシャル膜の検査素子。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/20

FI (4件)：

H01L 21/66 E ,  H01L 21/66 U ,  H01L 21/66 Y ,  H01L 21/20