特許
J-GLOBAL ID：200903023824449622
薄膜形成装置及び反応副生成物除去方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
油井 透 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-361049
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195647
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 ガス排出路の内壁に付着した反応副生成物を除去するためのメンテナンスの回数を少なくすることができるようにする。【解決手段】 窒化膜形成用CVD装置は、反応室113に02 ガスを導入するための給気開口部20と、02 ガスを蓄積するためのタンク22と、給気開口部14とタンク22とを接続するための給気配管21と、この給気配管21を遮断するための給気バルブ23と、窒化膜の形成が終了した後、タンク22から反応室113を介して排気配管25等によって形成されるガス排出路にO2 ガスを供給するための制御を行う制御部36とを有する。
請求項（抜粋）：
反応室で所定のガスを化学反応させることにより基板上に薄膜を形成する薄膜形成手段と、前記反応室からガス排出路を介して未反応ガスを排出する未反応ガス排出手段と、前記ガス排出路に酸化性ガスを供給し、この酸化性ガスによって前記ガス排出路の内壁に付着する反応副生成物を酸化することによりこの反応副生成物を除去する反応副生成物除去手段とを備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 B
, C23C 16/44 J
