特許

J-GLOBAL ID：200903023825654068

弁装置

発明者： 大谷 秀雄 ,  奥津 良之
出願人/特許権者： 株式会社山武
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213647
公開番号（公開出願番号）：特開平11-051204
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 プラグガイド孔の空隙部に溜った流体を逃すための流体逃し孔を、プラグの特性面で開口させるべく斜めに形成しているため、その加工が難しく、しかも、プラグの特性面で開口する流体逃し孔は、プラグ周りでの流体の流れを乱す要因となる。【解決手段】 プラグ8のプラグガイド孔16と、このプラグガイド孔に嵌め込み係合されてプラグ8を軸方向にガイドするガイド軸17との間に、プラグガイド孔16の空隙部16aに溜った流体を2次側流路7側に逃すための流体逃し溝20をガイド軸17の軸方向に沿って形成したものである。

請求項（抜粋）：

開閉制御すべき流路を有し、該流路を1次側流路と2次側流路とに仕切り形成している弁ケーシングと、この弁ケーシング内に配置されて前記流路を開閉制御するプラグと、このプラグに設けられたプラグガイド孔と、前記弁ケーシング内に突設されて前記プラグガイド孔に嵌め込まれ、前記プラグを軸方向にガイドするガイド軸とを備え、前記プラグガイド孔内における前記ガイド軸の先端との間に空隙部が形成される弁装置において、前記プラグガイド孔とガイド軸との間に、該ガイド軸の軸方向に沿って前記プラグガイド孔内の空隙部を2次側流路に接続する流体逃し溝を形成したことを特徴とする弁装置。