特許

J-GLOBAL ID：200903023825666120

磁気遮蔽体

発明者： 岡 隆 ,  水津 竜夫 ,  杉岡 孝雄 ,  井上 勝 ,  大谷 光平 ,  佐藤 学 ,  長尾 哲哉 ,  奥村 孝一 ,  妹川 博文 ,  川邉 久史
出願人/特許権者： トーカロ株式会社 ,  高圧ガス工業株式会社 ,  タツタ電線株式会社
代理人 (1件)： 鎌田 文二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-069711
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283887
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 超電導体皮膜によって「無磁場」空間を実現する磁気遮蔽体のその磁気シールドの経年劣化を防ぐ。【構成】 金属製ケーシングのブラスト処理された表面に、耐酸化性合金と部分安定化ジルコニアとを順次溶射してアンダーコート層a1 、a2 を形成し、さらにそのアンダーコート層上にプラズマ溶射の酸化物超電導体層bを形成する。その超電導体層b全表面に、接着剤10を介してナイロン12のフィルム層11、又はフッ素樹脂のコーティング保護層を形成する。フィルム層11又は、保護層からなる保護皮膜により、超電導体層bへの水分及び炭酸ガスの付着が阻止され、超電導体層bのそれらとの化学反応も生じず、特性劣化はない。このため、磁気シールド性の劣化を招かない。

請求項（抜粋）：

金属製ケーシングのブラスト処理された表面に、耐酸化性合金と部分安定化ジルコニアとを順次溶射してアンダーコート層を形成し、そのアンダーコート層上にプラズマ溶射の超電導体層を形成してなる磁気遮蔽体において、上記超電導体層の全表面にナイロン12の保護皮膜を形成したことを特徴とする磁気遮蔽体。

IPC (3件)：

H05K 9/00 ZAA ,  C23C 4/10 ,  B32B 15/04