特許

J-GLOBAL ID：200903023833929793

高温超伝導ジョセフソン型トランジスタおよびその製造方法

発明者： 文 忠民
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-200602
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051040
出願日： 1996年07月30日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 所望の素子特性の再現性の向上を図ることができる高温超伝導ジョセフソン型トランジスタおよびその製造方法の提供。【解決手段】 双結晶基板10上に、当該双結晶基板10の双結晶線12上の酸化物バイクリスタル粒界14を挟んで、YBa2 Cu3 O7 (YBCO)薄膜20からなる、接地電極18およびバイアス電極16を具えている。また、酸化物バイクリスタル粒界14上を含む、YBCO薄膜20の上に、Auからなるマイクロブリッジ(弱結合部)22を以って構成された近接効果型ジョセフソン接合を具えている。また、マイクロブリッジ22の近傍に、このマイクロブリッジ22に磁場を印加するために制御電流を流す制御線26を具えている。

請求項（抜粋）：

双結晶基板上に、該双結晶基板の双結晶線上の酸化物バイクリスタル粒界を挟んで、高温超伝導薄膜からなる、第1電極および第2電極を具え、該酸化物バイクリスタル粒界上を含む、前記高温超伝導薄膜の上に、良導体からなるブリッジを以って構成された近接効果型ジョセフソン接合を具え、前記ブリッジの近傍に、該ブリッジに磁場を印加するための制御電流を流す制御線を具えてなることを特徴とする高温超伝導ジョセフソン型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (2件)：

H01L 39/22 ZAA G ,  H01L 39/24 ZAA J