洗浄材、洗浄材製造装置、洗浄方法及び洗浄システム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉本丈夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-350939
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151942
出願日： 2001年11月16日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハを良好且つ効果的に洗浄することを目的とする。【解決手段】半導体ウエハ3の洗浄は、洗浄材1をキャリアガス37と共に噴射ガン34から半導体ウエハ3に向けて噴射させることにより行われる。洗浄材1は氷粒子を含む固液共存のシャーベット状をなすものであり、製造容器7に収容した洗浄純水1aとイソプロピルアルコール1bとの混合液を、攪拌翼15で攪拌しながら、機械式冷凍機8により水の凝固点以下に冷却することによって得られる。洗浄材1におけるイソプロピルアルコール濃度は1質量%〜80質量%とされており、氷濃度は0.2質量%〜99質量%とされている。洗浄材1は、製造容器7から加圧タンク40に供給され、加圧ガス35を加圧タンク40に供給することにより、洗浄材圧送路42から噴射ガン34へと圧送される。

請求項（抜粋）：

被洗浄面をこれに噴射,衝突させることにより洗浄する洗浄材であって、水とこれより凝固点の低い有機化合物液とを原料として、氷粒子を含む固液共存のシャーベット状をなしていることを特徴とする洗浄材。

IPC (9件)：

H01L 21/304 643 , H01L 21/304 647 , B08B 3/02 , B08B 3/10 , B08B 5/02 , C11D 7/04 , C11D 7/26 , G02F 1/13 101 , C03C 23/00

FI (9件)：

H01L 21/304 643 Z , H01L 21/304 647 Z , B08B 3/02 B , B08B 3/10 Z , B08B 5/02 Z , C11D 7/04 , C11D 7/26 , G02F 1/13 101 , C03C 23/00 A

Fターム (29件)：

2H088FA21 , 2H088FA30 , 2H088HA01 , 2H088MA20 , 3B116AA01 , 3B116AB33 , 3B116BA06 , 3B116BB02 , 3B116BB22 , 3B116BB38 , 3B116BB82 , 3B201AA01 , 3B201AB33 , 3B201BA06 , 3B201BB02 , 3B201BB22 , 3B201BB38 , 3B201BB82 , 3B201BB90 , 3B201BB93 , 3B201BB98 , 4G059AA08 , 4G059AC30 , 4H003DA15 , 4H003DC04 , 4H003EB04 , 4H003ED02 , 4H003ED28 , 4H003FA21

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