半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-303625
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161974
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】基板にチャネルストッパーとなる不純物をイオン注入することによる基板のダメージを回復させ、イオン注入した不純物を安定な状態にしてその後に形成するエピタキシャル層への前記不純物の拡散を防ぐことを目的とする。【構成】半導体基板1に基板と同導電型の不純物4をイオン注入した後、熱処理を行い、前記不純物4を安定な状態の不純物4′にした後、エピタキシャル成長によるシリコン層5を形成する。【効果】基板への不純物のイオン注入後に熱処理を行うことにより、不純物4の位置を安定な状態にし、後に形成されるSiエピタキシャル層5への浸み上がりを押さえることにより、Siエピタキシャル層5の膜質を向上させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面にこの基板と同導電型のチャネルストッパーとなる不純物をイオン注入する工程と、次いで前記基板に熱処理を行う工程と、前記熱処理を行った半導体基板の表面に半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、このエピタキシャルシリコン層の上にゲート絶縁膜となる酸化膜を形成する工程と、上記酸化膜の上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板表面に基板と逆導電型のソース領域とドレイン領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭54-121683
特開平4-179160
特開平2-026075

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