特許
J-GLOBAL ID：200903023852726810
電力用半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-257993
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102497
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】優れた応答特性と低いオン電圧を持つ電力用半導体素子を提供することを目的とする。【構成】n- 型ベース層11の一方の面にp+ 型エミッタ層12、他方の面にn+ 型エミッタ層13を持つ電力用の高耐圧ダイオードであって、n- 型ベース層11およびn+ 型エミッタ層13部分にSiを用い、p+ 型エミッタ層12部分に広バンドギャップのSiCを用いることにより、低いオン電圧と高速応答特性を実現した。
請求項（抜粋）：
高抵抗の第1導電型ベース層と、このベース層にキャリアを注入する高濃度の第2導電型エミッタ層を有する電力用半導体素子において、前記第1導電型ベース層に前記第2導電型エミッタ層よりバンドギャップの狭い半導体材料を用いたことを特徴とする電力用半導体素子。
IPC (2件)：
前のページに戻る
