ITOスパツタリングタ-ゲツト

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：今井毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-336302
公開番号（公開出願番号）：特開平5-148628
出願日： 1991年11月26日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：

【要約】【目的】スパッタリングによるITO膜の形成操作時に形成膜へのパ-ティクル混入の原因となることのないITOタ-ゲットを提供し、高品質ITO膜の大規模安定形成を可能ならしめる。【構成】酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法により製造されたITOスパッタリングタ-ゲット1において、そのスパッタ部(エロ-ジョン部)2を除いた非スパッタ部にIn又はIn-Sn合金の被覆層3を付与してITOスパッタリングタ-ゲットを構成する。

請求項（抜粋）：

酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法により製造されたITOスパッタリングタ-ゲットであって、その非スパッタ部にIn又はIn-Sn合金の被覆層を有して成ることを特徴とするITOスパッタリングタ-ゲット。

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