特許

J-GLOBAL ID：200903023858271075

半導体装置の製造方法

発明者： 伊藤 眞宏 ,  平下 紀夫 ,  沖原 将生
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109550
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304148
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】 多層配線において配線間を電気的に接続する際に、第1の配線層の表面の自然酸化膜の形成を抑制し、コンタクト抵抗を低減する。【構成】 第1の配線層13の表面に自然酸化膜15が形成されるので、その自然酸化膜15を通してイオン注入法で不純物Iを第1の配線層13に導入する。真空中で熱処理を行い、不純物Iを第1の配線層13表面に析出させて安定層16を形成する。この安定層16の形成によって第1の配線層13表面への自然酸化膜の形成が抑制される。その後、第2の配線層17を形成すれば、第1と第2の配線層13,17間のコンタクト抵抗が小さく、良好な電気的接続が行える。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1の配線層上に絶縁膜を被着し、前記絶縁膜の一部を選択的に除去して開口部を形成し、前記絶縁膜及び開口部上に第2の配線層を形成して該第2の配線層を該開口部を通して前記第1の配線層と電気的に接続する半導体装置の製造方法において、前記第1の配線層の表面に形成される自然酸化膜を通してイオン注入法で不純物を該第1の配線層に注入するイオン注入工程と、真空中で熱処理を行い、前記不純物を前記第1の配線層の表面に析出させて安定層を形成する安定層形成工程とを、施した後に前記第2の配線層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/265 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-010856
  
• 特開平2-010856
  
• 特開昭55-165651
  
• 特開昭55-165651