分布帰還型半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270081
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106697
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】利得結合型の分布帰還半導体レーザを、凹凸面を形成することなく得ることを目的とする。【構成】活性層4の近傍にバッファ層5とクラッド層8の間に設けられた量子井戸層6が、活性層4の発振波長において光吸収性を有している。そして、その量子井戸層6は誘導放出光の光軸方向に沿って分布帰還を施す周期で無秩序化された第1の領域9と、バッファ層5、クラッド層8と同一の導電性を有する第2の領域10とを含み第1の領域は第2の領域よりも低い光吸収率を有している。

請求項（抜粋）：

誘導放出光を発生する活性層(4)と、該活性層の上に備えた第1の導電性を有するバッファ層(5)と、該バッファ層の上に備えた活性層の発振波長において光吸収性を有する量子井戸層(6)と、該量子井戸層の上に備えた前記バッファ層と同じ導電性を有するクラッド層(8)とを備え、前記量子井戸層は前記誘導放出光の光軸方向に沿って分布帰還を施す周期で無秩序化され、かつ、前記第1の導電性を有する第1の領域(9)と、それらの領域の間にあって前記第1の導電性と逆の導電性を有する第2の領域(10)とを含み、前記第1の領域は第2の領域よりも低い光吸収率を有することを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。

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