特許

J-GLOBAL ID：200903023865620514

化学気相成長方法

発明者： 河野 通有
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-313863
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163426
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 タングステンシリサイドの成長に関し, 所望のW/Si組成比を保ち, しかもW/Si組成比の面内分布を改善することを目的とする。【構成】 1)ジクロルシラン(SiH2Cl2) と六フッ化タングステン(WF6) を用いてタングステンシリサイド(WSiX ) を成長する際に,成長室にジクロルシランを一定流量で導入し,且つ六フッ化タングステンを間欠的に導入する,2)成長室に還元ガス,または酸化ガス,またはアンモニアガスを一定流量で導入し,且つ反応ガスを間欠的に導入するように構成する。

請求項（抜粋）：

ジクロルシラン(SiH2Cl2) と六フッ化タングステン(WF6) を用いてタングステンシリサイド(WSiX ) を成長する際に,成長室にジクロルシランを一定流量で導入し,且つ六フッ化タングステンを間欠的に導入することを特徴とする化学気相成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/46