特許

J-GLOBAL ID：200903023867777313

低抵抗化フッ素ドープ酸化スズ膜の製造方法

発明者： 神戸 美花 ,  佐藤 一夫 ,  種田 直樹 ,  府川 真 ,  後藤 芳夫
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-274028
公開番号（公開出願番号）：特開2003-081633
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：

【要約】【課題】トンネル炉等の気密性の低い簡易な設備を用いて行うことができる低抵抗化フッ素ドープ酸化スズ膜の製造方法の提供。【解決手段】基板上に形成された、フッ素を酸化スズに対し0.01〜4mol%含有し、電導電子密度が5×1019〜4×1020cm-3であるフッ素ドープ酸化スズ膜を、基板温度が200〜500°Cで、非酸化性ガスと、0.1vol%以上の水蒸気と、100volppm〜21vol%の酸素とを含有する雰囲気に曝露することにより低抵抗化したフッ素ドープ酸化スズ膜を得る、低抵抗化フッ素ドープ酸化スズ膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された、フッ素を酸化スズに対し0.01〜4mol%含有し、電導電子密度が5×1019〜4×1020cm-3であるフッ素ドープ酸化スズ膜を、基板温度が200〜500°Cで、非酸化性ガスと、0.1vol%以上の水蒸気と、100volppm〜21vol%の酸素とを含有する雰囲気に曝露することにより低抵抗化したフッ素ドープ酸化スズ膜を得る、低抵抗化フッ素ドープ酸化スズ膜の製造方法。

IPC (2件)：

C01G 19/02 ,  H01B 13/00 503

FI (2件)：

C01G 19/02 C ,  H01B 13/00 503 B

Fターム (3件)：

5G323BA03 ,  5G323BB03 ,  5G323BC03