特許
J-GLOBAL ID：200903023871812875
極微細トンネル障壁の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007362
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211885
出願日： 1994年01月27日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 77Kで動作する極微細トンネル素子と単一電子トランジスターを提供する。【構成】 ガリウムひ素基板20上に、50Aの垂直な段差19を低損傷エッチングにより作製する。基板20上にMBE法で、ガリウムひ素層23、シリコン単原子ドーピング層22、ガリウムひ素層21を順にエピタキシャル成長する。段差の側壁にはシリコンはドーピングされない。この後成長層をエッチングして段差を垂直に交差するような細線25を形成する。段差の高さによってトンネル確率が決定されるが、変調ドープでは障壁の高さが低いのでポテンシャル障壁の間隔を大きくとれる。するとトンネル接合の静電容量を小さくでき、77Kで動作する。
請求項（抜粋）：
半導体半絶縁基板上に、微細な段差を低損傷エッチングにより作製し、分子線エピタキシャル法を用いて、前記基板上に半導体半絶縁層、単原子ドーピング層、半導体半絶縁層のエピタキシャル成長を順に行い段差側壁には単原子ドーピング層が形成されないようにし、その後エッチングを施して前記エピタキシャル成長層を段差と交差する方向の細線を作製することで、前記段差部分に極微細トンネル障壁を形成する方法であって、前記の微細な段差は、その上下の単原子ドーピング層からの電子の波動関数が重ならずしかも電子のトンネルが生じる程度の高さであることを特徴とする極微細トンネル障壁の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 29/68
, H01L 21/203
, H01L 29/06
