特許

J-GLOBAL ID：200903023873152074

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 玉田 仁志 ,  堂向 徹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-173308
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012954
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 容易に共振器端面の反射率制御を行うことができる半導体発光素子およびそのような半導体発光素子を容易に製造することができる半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 レーザ共振器1の共振器端面2,3に、レーザ共振器1を構成する半導体層の接合面にほぼ平行な方向に延びる帯状の凹部が形成されてなる凹凸構造を設ける。レーザ共振器1は、基板上にn型AlGaNクラッド層12、n型GaN光導波層13、InGaN活性層14、p型GaN光導波層15、p型AlGaNクラッド層16を順次積層することにより構成する。共振器端面2,3における凹凸構造は、エッチングにより共振器端面2,3を形成した後、ウエットエッチング法により共振器端面2,3をエッチングすることにより、レーザ共振器1を構成する半導体層の組成の違いによる化学的性質の相違を利用して形成する。

請求項（抜粋）：

共振器の少なくとも一方の共振器端面に、上記共振器を構成する半導体層の接合面にほぼ平行な方向に延在する凹部および/または凸部が形成されてなる凹凸構造が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。

Fターム (8件)：

5F073AA45 ,  5F073AA63 ,  5F073AA81 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073DA22 ,  5F073DA31 ,  5F073EA29