特許

J-GLOBAL ID：200903023877245972

全フッ素化高分子薄膜の製造方法

発明者： 佐川 雅一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-022922
公開番号（公開出願番号）：特開平11-216421
出願日： 1998年02月04日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】基板上に全フッ素化樹脂薄膜を密着性よく形成する方法を提供する。【解決手段】基板表面に予め有機ジルコニウム化合物の被膜を形成する。使用する有機ジルコニウム化合物としては、ジルコニウムエステルおよびジルコニウムキレート化合物が好ましい。

請求項（抜粋）：

基板上に化学式1に示す基本骨格を持つ全フッ素化高分子薄膜を形成する際、上記基板上表面に有機ジルコニウム被膜を介在せしめることを特徴とする全フッ素化高分子薄膜の製造方法。【化1】

IPC (5件)：

B05D 7/24 302 ,  B05D 3/10 ,  B05D 5/12 ,  B05D 7/00 ,  G02B 6/12

FI (5件)：

B05D 7/24 302 L ,  B05D 3/10 H ,  B05D 5/12 D ,  B05D 7/00 H ,  G02B 6/12 N