特許

J-GLOBAL ID：200903023886595617

洗浄方法及び洗浄装置

発明者： 嵯峨 幸一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-188412
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022255
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 洗浄後のシリコン基体の表面を安定にして、その後の有機物の吸着や自然酸化膜の成長を抑制する。【解決手段】 フッ化水素を含む蒸気にシリコン基体15の表面を曝して表面をエッチングした後、シリコン基体15を非酸化性雰囲気中に保持して、このシリコン基体15の表面に残留しているフッ素原子を水素原子に置換する。このため、シリコン基体15の表面を水素で完全に終端させることができて、洗浄後のシリコン基体15の表面を安定にすることができる。

請求項（抜粋）：

フッ化水素を含む蒸気にシリコン基体の表面を曝して前記表面をエッチングする工程と、前記エッチング後の前記シリコン基体を非酸化性雰囲気中に保持して、前記表面に残留しているフッ素原子を水素原子に置換する工程とを具備することを特徴とする洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/08

FI (4件)：

H01L 21/304 341 V ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/304 341 M ,  B08B 3/08 Z