特許
J-GLOBAL ID：200903023886895696
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070998
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275501
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 ボンディングパッドを2層構造とすることにより、ボンディングワイヤの剥がれ不良を防止できる半導体装置に関する。【構成】 半導体基板(12)の上にアルミニウムーシリコン電極層(17)を形成し、その上に純粋なアルミニウム電極層(19)を形成してボンディングパッド(18)とする。純粋なアルミニウム電極層(19)の表面にボンディングワイヤ(21)を超音波法によりワイヤボンドする。
請求項（抜粋）：
半導体チップの表面に形成した電極パッドと外部の接続リードとを金属細線でワイヤボンドし、主要部をパッケージングした半導体装置において、前記電極パッドが、シリコンを含むアルミニウム層とシリコンを含まないアルミニウム層との積層構造であり、超音波振動を伴った方法によって前記シリコンを含まないアルミニウム層の表面に前記金属細線がワイヤボンドされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/607
, H01L 21/60 301
, H01L 29/46
