特許

J-GLOBAL ID：200903023887653360

ラジカル制御による薄膜形成および微細加工方法と装置

発明者： 後藤 俊夫 ,  堀 勝 ,  平松 美根男 ,  縄田 正人
出願人/特許権者： 名古屋大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-241017
公開番号（公開出願番号）：特開平9-137274
出願日： 1996年08月26日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【目的】 従来得ることが不可能であった機能性材料や高品質薄膜材料の形成、あるいは微細加工特性の大幅な向上を実現させる。【構成】 真空容器101内に導入された反応性ガスからなる第1の物質のプラズマ109を形成するとともに、反応性ガス、固体材料および液体材料のいずれか1種よりなる第2の物質を前記プラズマの外部において分解させて密度および/または組成が制御されたラジカル116を発生させ、該発生したラジカルを前記プラズマ中に注入することにより、該プラズマ中に配置された被処理基体107上に薄膜を形成し、あるいは被処理基体を微細加工する。

請求項（抜粋）：

真空容器内に導入された反応性ガスである第1の物質のプラズマを形成するとともに、反応性ガス、固体材料および液体材料のいずれか1種またはそれらの組み合わせである第2の物質を前記プラズマの外部において分解させて密度および/または組成が制御されたラジカルを発生させ、該発生したラジカルを前記プラズマ中に注入することにより、該プラズマ中に配置された被処理基体上に薄膜を形成するようにしたことを特徴とするラジカル制御による薄膜形成方法。

IPC (7件)：

C23C 16/50 ,  B01J 19/08 ,  C23F 4/00 ,  C30B 29/04 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (9件)：

C23C 16/50 ,  B01J 19/08 H ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 E ,  C23F 4/00 D ,  C30B 29/04 B ,  C30B 29/06 504 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭59-131511