特許
J-GLOBAL ID:200903023888041910
半導体ウェーハ製造用プラズマ処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中村 稔 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-136951
公開番号(公開出願番号):特開平9-232292
出願日: 1990年10月01日
公開日(公表日): 1997年09月05日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 ウエーハ清浄化、化学的気相成長やプラズマエッチング等プラズマ処理に有利な周波数範囲で動作できる半導体ウエハ製造用プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 本発明プラズマ処理装置は、ウエハが載置されるパワー電極16を有するプラズマリアクタと、13.56〜200MHzの周波数範囲で電力を発生しかつ同調可能であり、該周波数がリアクタにおける処理を最適化するために選択される唯一の電源であるrf電源15と、選択周波数でrf信号の反射を消失できるパワー電極16へのrf入力による整合ネットワークと、それが種々の処理に対するプラズマ処理条件を最適化するために周波数調整が可能であるように、選択周波数範囲で同調可能な可変コンデンサ27,211を自動調整する自動化制御回路225と、rf入力信号の電流と電圧成分間の相対位相に関する情報を自動化制御回路に供給する検出器226とを備えている。
請求項(抜粋):
a)処理すべきウェーハが載せられるパワー電極を有するプラズマリアクタと、b)13.56MHzから200MHzまでの範囲の周波数で電力を発生しかつその範囲にわたり同調可能であり、該周波数が前記リアクタにおいて実行されるべき処理を最適化するために選択される唯一の電源としてのrf電源と、c)前記選択された周波数でrf信号の反射を実質的に無くすことができる、パワー電極へのrf電力入力での整合ネットワークと、d)前記整合ネットワークが種々の処理に対するプラズマ処理条件を最適化するように周波数の調整をすることが可能であるべく特定の選択された周波数範囲で同調可能な可変コンデンサと、e)前記rf電源に反射される電力を最小にすべく前記可変コンデンサを自動的に調整する自動化制御回路と、f)前記rf電力入力信号の電流成分と電圧成分の間の相対位相に関する情報を前記自動化制御回路に供給する検出器とを備えていることを特徴とする半導体ウェーハ製造用プラズマ処理装置。
IPC (6件):
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/304 341
, H01L 21/316
, H05H 1/46
FI (9件):
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
, C23F 4/00 D
, C23F 4/00 G
, H01L 21/205
, H01L 21/304 341 D
, H01L 21/316 X
, H05H 1/46 B
, H05H 1/46 R
引用特許:
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