特許
J-GLOBAL ID：200903023889577768
バンプ電極形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
江原 省吾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-291264
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140408
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 最終的に形成されるバンプ電極にワイヤ残りが発生することを未然に防止することにある。【構成】 キャピラリ(1)の挿通孔(2)に挿通されたワイヤ(3)をキャピラリ下端から導出してボール(a)を形成し、そのボール(a)をキャピラリ下端で押え付けて半導体ペレット(6)の電極引出領域(7)にバンプ電極を形成し、ワイヤ(3)のクランプと共に超音波振動の付与によりキャピラリ下端でバンプ電極から延びるワイヤ首部分(b)に亀裂を発生させ、この亀裂に基づいて、キャピラリ(1)の引き上げによりワイヤ(3)を切断するものにおいて、上記キャピラリ下端の挿通孔開口部(11)は、一つの径方向がワイヤ径とほぼ同程度の孔径のエッジ部(12)を有し、その径方向と直交する径方向がワイヤ径よりも大きな孔径から縮径するテーパ面(13)を有し、超音波振動の付与方向を、ワイヤ径とほぼ同程度の孔径を有する一つの径方向と一致させる。
請求項（抜粋）：
キャピラリの挿通孔に挿通されキャピラリ下端から突出したワイヤの先端にボールを形成し、そのボールをキャピラリ下端で半導体ペレットの電極引出領域に押圧し、キャピラリの引き上げ時に圧潰されたボールからワイヤを切断して半導体ペレット上にバンプ電極を形成するバンプ電極形成装置において、上記キャピラリ下端の挿通孔開口部は、一つの径方向でワイヤ径とほぼ同程度の孔径のエッジ部を有し、その径方向と直交する径方向でワイヤ径よりも大きな孔径から縮径するテーパ面を有することを特徴とするバンプ電極形成装置。
IPC (3件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 301
, H01L 21/607
