特許

J-GLOBAL ID：200903023897187138

ランプアニール装置

発明者： 渡辺 智司 ,  臼井 建人 ,  平沢 茂樹 ,  本間 満
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-165860
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013355
出願日： 1991年07月05日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 表面にパターンを形成したウエハを、その面内に生ずる温度分布を小さくして均一に加熱できるランプアニール装置を提供する。【構成】 ウエハ裏面側のみに配列したランプと、ウエハの加熱に必要な可視〜赤外線を透過しかつウエハ裏面全体に接する保持板と、ウエハ表面の温度分布を測定する2次元撮像素子を備えた放射温度計と、ウエハ表面の温度分布を基にランプを制御する制御手段とから構成する。【効果】 ウエハに局所的に熱応力がかかるのを防止でき、大直径ウエハを処理する場合にもスリップラインの発生を防止でき、また酸化膜厚さの均一性向上、シート抵抗の均一性向上などを達成でき、LSI生産の歩留りを向上できる。

請求項（抜粋）：

支持具上に載置されたウエハを加熱するための複数のランプと、該ランプにより加熱されたウエハのパターンを形成した表面の温度を測定する温度測定手段と、該温度測定手段により測定された温度を基に前記ランプの発熱量を制御する制御手段とを備えたランプアニール装置において、前記ランプは前記ウエハの裏面側のみに設置し、前記温度測定手段は2次元的に温度検出素子を配列した放射温度計でなることを特徴とするランプアニール装置。