特許

J-GLOBAL ID：200903023915065541

低温焼成誘電体組成物、積層セラミックキャパシター及びセラミック電子部品

発明者： 徐 東 煥 ,  金 宗 ▲照▼ ,  姜 晟 馨 ,  崔 洵 牧 ,  尹 赫 ▲俊▼
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-182495
公開番号（公開出願番号）：特開2005-104735
出願日： 2003年06月26日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】還元性雰囲気において内部電極と低温での同時焼成が可能で静電容量の温度係数±30(ppm/°C)を満足し低誘電率と高誘電品質係数を呈す誘電体組成物を提供すること。【解決手段】x{αBaO、(1-α)SrO}-y{SiO2}-z{ (1-β) ZrO2、βAl2O3}(但し、x+y+z=100、x、y、zは重量%で55≦x≦75、10≦y≦35、5≦z≦30、α、βはモルで0.4≦α≦0.8、0.01≦β≦0.07)で表わされる主組成物100重量部に対して、亜鉛ボロンケイ酸塩ガラス(Zn-B-silicate glass)を2〜10重量部含む低温焼成誘電体組成物の提供。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

x{αBaO、(1-α)SrO}-y{SiO2}-z{ (1-β) ZrO2、βAl2O3}(但し、x+y+z=100、x、y、zは重量%で55≦x≦75、10≦y≦35、5≦z≦30、α、βはモルで0.4≦α≦0.8、0.01≦β≦0.07)で表わされる主組成物100重量部に対して、亜鉛ボロンケイ酸塩ガラス(Zn-B-silicate glass)を2〜10重量部含む低温焼成誘電体組成物。

IPC (4件)：

C04B35/495 ,  H01B3/02 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

FI (5件)：

C04B35/00 J ,  H01B3/02 A ,  H01B3/12 335 ,  H01G4/12 358 ,  H01G4/12 364

Fターム (40件)：

4G030AA02 ,  4G030AA03 ,  4G030AA04 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA14 ,  4G030AA17 ,  4G030AA32 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA39 ,  4G030BA09 ,  4G030CA08 ,  4G030GA01 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA08 ,  4G030GA11 ,  4G030GA20 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA01 ,  5G303AB11 ,  5G303AB15 ,  5G303CA03 ,  5G303CB01 ,  5G303CB02 ,  5G303CB03 ,  5G303CB30 ,  5G303CB32 ,  5G303CB38 ,  5G303CB39