特許
J-GLOBAL ID:200903023916123855
炭酸ガス還元装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大胡 典夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-280661
公開番号(公開出願番号):特開2001-097894
出願日: 1999年09月30日
公開日(公表日): 2001年04月10日
要約:
【要約】【課題】 炭酸ガス分離の処理能力の高い炭酸ガス還元装置の提供。【解決手段】 導電層7および導電層7表面に酸化チタンからなる光触媒8を担持させたアノードと、導電層7および導電層7表面に炭化珪素からなる光触媒8を担持させたカソードと、アノードおよびカソードで挟持された電解質膜10とからなる素子において、アノードに供給された水を酸化チタンの光触媒能を用いて酸化し、カソードに供給される炭酸ガスを炭化珪素の光触媒能を用いて還元することで、素子全体の反応を促進させ、ひいては炭酸ガスの分解の処理能力を向上させる。
請求項(抜粋):
電解質膜と、この電解質膜表面に形成され、価電子帯電位が水の酸化電位よりも大きい半導体物質からなり、供給される水と接触するように配置された第1の光触媒と、前記電解質膜表面に形成され、伝導帯電位が炭酸ガスの還元電位よりも負に大きい半導体物質からなり、供給される二酸化炭素と接触するように配置された第2の光触媒とを有することを特徴とする炭酸ガス還元装置。
IPC (10件):
C07C 1/12
, B01J 35/02
, C07C 9/04
, C07C 29/15
, C07C 31/04
, C07C 45/61
, C07C 47/04
, C07C 51/15
, C07C 53/02
, C07B 61/00 300
FI (10件):
C07C 1/12
, B01J 35/02 J
, C07C 9/04
, C07C 29/15
, C07C 31/04
, C07C 45/61
, C07C 47/04
, C07C 51/15
, C07C 53/02
, C07B 61/00 300
Fターム (58件):
4G069AA03
, 4G069BA04B
, 4G069BA48A
, 4G069BB02A
, 4G069BB02B
, 4G069BB15B
, 4G069BC05B
, 4G069BC20A
, 4G069BC20B
, 4G069BC30A
, 4G069BC31B
, 4G069BC32B
, 4G069BC34A
, 4G069BC35B
, 4G069BC65A
, 4G069BC69A
, 4G069BC70B
, 4G069BC72B
, 4G069BC75B
, 4G069CA07
, 4G069CA08
, 4G069CA20
, 4G069DA05
, 4G069EA07
, 4G069FA03
, 4G069FB23
, 4H006AA04
, 4H006AC11
, 4H006AC41
, 4H006AC45
, 4H006AC46
, 4H006BA05
, 4H006BA06
, 4H006BA07
, 4H006BA09
, 4H006BA10
, 4H006BA11
, 4H006BA12
, 4H006BA14
, 4H006BA19
, 4H006BA27
, 4H006BA30
, 4H006BA32
, 4H006BA33
, 4H006BA35
, 4H006BA36
, 4H006BA56
, 4H006BA95
, 4H006BE41
, 4H006BE60
, 4H006BS10
, 4H006FE11
, 4H039CA11
, 4H039CA60
, 4H039CA62
, 4H039CA65
, 4H039CB40
, 4H039CC20
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