特許

J-GLOBAL ID：200903023923468035

結晶性薄膜およびその製造方法

発明者： セイド イスマツト ウラー シヤー
出願人/特許権者： 三菱化成株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-035166
公開番号（公開出願番号）：特開平5-093270
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【目的】 磁気特性に優れた薄膜を提供する。【構成】 Sm2-δ1 Fe17- δ2 X3-δ3 (Xは窒素、炭素、水素を示し、δ1 、δ2 、δ3 は-1から+1である。)で示される結晶性薄膜、およびSm2-δ1 Fe17- δ2 Xδ4 (δ4 は0から3である。)で示されるターゲットにイオンビームを照射して、ターゲットからのスパッタ原子を加熱基板上に到達させ、同時に、窒素、炭素または水素からなる結晶格子間イオンビームを該加熱基板に、スパッタリングを起こさないパワーレベルで照射して、該ターゲットおよび結晶格子間イオンビームの両者からの原子を含有する薄膜を基板上に形成させる。【効果】 磁気特性に優れ、磁気記録あるいは光磁気記録用の媒体への応用が可能な薄膜が得られる。

請求項（抜粋）：

下記組成式(1)で示されることを特徴とする結晶性薄膜。【化1】Sm2-δ1 Fe17- δ2 X3-δ3・・・(1)(式中、Xは窒素、炭素または水素を示し、δ1 、δ2 、δ3 は各々独立して-1から+1である。)

IPC (8件)：

C23C 14/46 ,  B01J 19/12 ,  C01B 31/30 ,  C01G 49/00 ,  G11B 5/85 ,  H01F 10/14 ,  H01F 41/18 ,  G11B 11/10