特許
J-GLOBAL ID:200903023938597788

熱電変換用半導体材料およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-058845
公開番号(公開出願番号):特開2000-261048
出願日: 1999年03月05日
公開日(公表日): 2000年09月22日
要約:
【要約】【課題】 安価で、取扱が容易で、生産性の高い金属または合金粉末を、CoSb3を主成分とする熱電変換用半導体材料に分散させて、熱伝導率を低下させて性能指数の改善を図った熱電変換モジュール用の熱電変換用半導体材料を汎用的な焼成プロセスを用いて容易かつ効率良く製造する。【解決手段】 化学組成がCoSbx (2.7<x <3.4)で表される主成分に、サブミクロンから数百ミクロンの粒径を有する金属または合金粉末を混合した粉末を所望の形状に成形し、水素のような還元性雰囲気または窒素のような非酸化性雰囲気中において、金属または合金粉末の溶融温度よりも低い温度で焼成して性能指数が改善された熱電変換用半導体材料を得る。分散材の添加量は、CoSbx に対して0.01wt% 〜20wt% とするのが好適である。
請求項(抜粋):
熱電変換モジュールに使用されるP型またはN型の熱電変換用半導体材料において、化学組成がCoSbx (2.7<x <3.4)で表される主成分に、分散材として焼成温度よりも高い融点を持つ金属粉末を分散させたことを特徴とする熱電変換用半導体材料。
IPC (3件):
H01L 35/18 ,  H01L 35/26 ,  H01L 35/34
FI (3件):
H01L 35/18 ,  H01L 35/26 ,  H01L 35/34
引用特許:
審査官引用 (3件)

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