特許

J-GLOBAL ID：200903023941866218

半導体装置

発明者： 吉崎 敦浩 ,  保川 彰夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立カーエンジニアリング
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-230010
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046048
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】 パワー半導体の実装における電極接続をはんだ接合する実装構造において、高熱伝導性、高電気伝導性を維持し、かつ、接合部が熱サイクルに耐える実装構造を提供する。【解決手段】 両面に電極が配設されたパワー半導体チップ1と、この半導体チップ1をサンドイッチ状に挟む板状の導電部材30,31とを有する。これらの導電部材30,31が半導体チップの両面に設けた電極3,2にはんだ層22,23を介して接合される。導電部材のうち一方の導電部材31が半導体チップ1の金属ベースを兼ね、もう一方の導電部材30は、金属ベースに相当する導電部材と同等の板厚構造をなしている。

請求項（抜粋）：

両面に電極が配設されたチップ状のパワー半導体素子(以下、「半導体チップ」と称する)と、この半導体チップをサンドイッチ状に挟む板状の導電部材とを有し、これらの導電部材が前記半導体チップの両面に設けた電極に接合される半導体装置であって、前記導電部材のうち一方の導電部材が前記半導体チップの金属ベースを兼ね、もう一方の導電部材は、前記金属ベースに相当する導電部材と同等の板厚構造をなしていることを特徴とする半導体装置。