特許
J-GLOBAL ID：200903023941958368
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-082203
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295991
出願日： 1993年04月08日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】低電圧で書き込み可能で高速動作も可能なアンチフューズメモリ素子を高い歩留まりで生産する事ができるアンチフューズメモリ材料を提供する。【構成】アンチヒューズメモリ素子がアモルファスGeSi膜あるいはアモルファスIII-V族化合物半導体膜から成る半導体装置。またアモルファスGeSi膜にIII族元素、V族元素、IV族金属元素、II族金属元素等をドープする手段を取る。またアモルファスIII-V族化合物半導体膜の例としては、アモルファスGaAs,GaAlAs,GaSb,InN,InP,InAs,InSbなどとする。また、アモルファスIII-V族化合物半導体膜にZn,Cd,Se,Te,Fe,Co,Ni,Be,Mg,S,O,CrなどのアモルファスIII-V族化合物半導体膜の導電型をn型あるいはp型とするドーパントをドープする。【効果】ノイズにも強いアンチフューズメモリ素子を製作できる。
請求項（抜粋）：
アンチヒューズメモリ素子がアモルファスGeSi膜から成る事を特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/10 431
, G11C 17/06
