特許
J-GLOBAL ID:200903023948114033
積層セラミックコンデンサおよびその検査方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石井 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-060731
公開番号(公開出願番号):特開2000-260653
出願日: 1999年03月08日
公開日(公表日): 2000年09月22日
要約:
【要約】【課題】 還元性雰囲気中で焼成された積層セラミックコンデンサにおいて、直流電界を長時間印加することなく絶縁抵抗の寿命を判定することが可能な検査方法を提供する。【解決手段】 誘電体層のキュリー温度以上かつ130°C以上の温度でインピーダンスの位相角を測定し、周波数と位相角との関係を示すグラフを作成し、このグラフにおいて周波数1mHz〜100Hzの範囲内に位相角のピークを2つもち、これらのピークのうち高周波側のものをP1、その位相角をθP1とし、低周波側のものをP2、その位相角をθP2としたとき、θP1≧θP2である積層セラミックコンデンサを選択する工程を有する積層セラミックコンデンサの検査方法。
請求項(抜粋):
誘電体層と内部電極層とが交互に積層されており、前記誘電体層が、主成分として式 [(Ba1-xCax)O]m(Ti1-yZry)O2[上記式においてx、y、mはモル比を表し、0≦x≦0.05、0≦y≦0.20、1.000≦m≦1.010である]で表される化合物を含有し、副成分としてR酸化物(ただし、RはY、Eu、Tb、Gd、Dy、Ho、Er、TmまたはYb)の少なくとも1種およびMnOを含有し、主成分に対するRの比率が0.05〜1.0モル%であり、主成分に対するMnOの比率が0.05〜1.0モル%であり、前記誘電体層のキュリー温度以上かつ130°C以上の温度でインピーダンスの位相角を測定し、周波数と位相角との関係を示すグラフを作成したとき、このグラフにおいて周波数1mHz〜100Hzの範囲内に位相角のピークが2つ観測され、これらのピークのうち高周波側のものをP1、その位相角をθP1とし、低周波側のものをP2、その位相角をθP2としたとき、θP1≧θP2である積層セラミックコンデンサ。
IPC (3件):
H01G 4/12 358
, H01G 4/12 364
, H01G 13/00 361
FI (3件):
H01G 4/12 358
, H01G 4/12 364
, H01G 13/00 361 Z
Fターム (38件):
5E001AB03
, 5E001AC03
, 5E001AC09
, 5E001AD03
, 5E001AE00
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AE04
, 5E001AF06
, 5E001AH05
, 5E001AH09
, 5E001AJ02
, 5E001AZ00
, 5E082AA01
, 5E082AB03
, 5E082BC38
, 5E082BC40
, 5E082EE04
, 5E082EE23
, 5E082EE35
, 5E082EE42
, 5E082FG22
, 5E082FG26
, 5E082FG27
, 5E082FG52
, 5E082FG54
, 5E082GG10
, 5E082GG11
, 5E082GG28
, 5E082JJ03
, 5E082JJ12
, 5E082JJ23
, 5E082LL02
, 5E082MM22
, 5E082MM24
, 5E082MM35
, 5E082PP06
, 5E082PP10
引用特許:
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