特許
J-GLOBAL ID：200903023959379780
レクチル描画方法、レチクル描画装置及び半導体デバイス製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-167856
公開番号（公開出願番号）：特開2000-356848
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 レチクル描画時のパターンデータを変形する際に、パターンデータの容量を増やさずに効率よく処理する方法を提供する。【解決手段】 本レクチル描画方法は、デバイスパターンを感応基板上に転写露光するための原パターンをレチクル上に描画する方法である。正規のパターンデータを描画装置の記憶装置に入力するとともに、転写露光の状況に依存して発生するパターン変形の傾向を描画装置の記憶装置に入力する。そして、描画装置内のデータ加工機能を用いて上記パターンデータを変形し、その変形したパターンデータに基づいてレチクル上に原パターンを描画する。
請求項（抜粋）：
デバイスパターンを感応基板上に転写露光するための原パターンをレチクル上に描画する方法であって;正規のパターンデータをレチクル描画装置に付随した記憶装置に入力し、転写露光の状況に依存して発生するパターン変形の傾向をレチクル描画装置の記憶装置に入力し、該パターン変形を補正すべく、レチクル描画装置内のデータ加工機能を用いて上記パターンデータを変形し、その変形したパターンデータに基づいてレチクル上に原パターンを描画することを特徴とするレクチル描画方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
2H095BA01
, 2H095BA05
, 2H095BA08
, 2H095BB02
, 2H095BB10
, 2H095BB14
, 2H095BB34
, 2H095BB36
, 2H095BC01
, 2H095BC27
, 2H095BD06
, 2H095BD07
, 2H095BD31
