特許
J-GLOBAL ID：200903023962722810
固体撮像装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-060881
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273305
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 低電圧読み出し駆動、飽和電荷量増大、スミア特性向上、および単位画素当り面積の縮小を可能とする。【構成】 CCD転送チャンネルは、p型ウェルのn型半導体基板21の表面に選択的に形成されたn型領域25である。高濃度のp型領域26は、半導体基板21の表面部でn型領域25を取り囲むように形成されている。p型領域27は、フォトダイオードのn型領域23とp型領域26との間を結ぶように、p型ウェル22の表面部に形成されている。p型領域28は、p型領域27と接していないp型領域26に接し、n型領域23との間を結ぶように、p型ウェル22の表面部に形成されている。p型領域29は、p型ウェル22の内部で、高濃度のp型領域26の直下部に位置し、p型分離領域27とp型の読み出し電圧制御領域28とで高濃度のp型領域26を取り囲むように形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたp型ウェル内の前記半導体基板表面に選択的に形成されたn型拡散層と、前記半導体基板の表面部で前記n型拡散層全体を取り囲むように形成された高濃度のp型拡散層と、前記高濃度のp型拡散層の直下部に位置し、前記高濃度のp型拡散層の両端にそれぞれ第一のp型拡散層、第二のp型拡散層とで前記高濃度のp型拡散層を取り囲むように形成されたp型拡散層を有することを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
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