特許

J-GLOBAL ID：200903023966101690

サーマルヘツドの製造方法

発明者： 兵頭 徹治
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
代理人 (1件)： 西教 圭一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-220498
公開番号（公開出願番号）：特開平5-057938
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月09日
要約：

【要約】【目的】 印画寿命および製造上の歩留まりを改善できるとともに、印画品質を向上することができるサーマルヘッドを提供することである。【構成】 絶縁性基板22上にグレーズ層23と、発熱抵抗体層24と、電極層25,26と保護層28とをこの順序で順次形成する。このとき、保護層28を高硬度で電気絶縁性を有する材料をターゲットとし、スパッタリングにてスパッタリング圧力を変化させた3層構造として形成する。3層の内、下層29として、1〜3mtorrのスパッタリングガス圧力で形成し、中層30として、20〜30mtorrのスパッタリングガス圧力で形成し、上層31として、1〜3mtorrのスパッタリングガス圧力で形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にグレーズ層、発熱抵抗体層、電極層および保護層を順次形成するサーマルヘッドの製造方法において、前記保護層を窒化シリコンを主成分とする材料をターゲットとしたスパッタリングによりスパッタ圧力を変化させた下記3層構造として形成する工程を含むことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。下層として、1〜3mtorrのスパッタリングガス圧力で形成する。中層として、20〜30mtorrのスパッタリングガス圧力で形成する。上層として、1〜3mtorrのスパッタリングガス圧力で形成する。

FI (2件)：

B41J 3/20 111 H ,  B41J 3/20 111 F