特許

J-GLOBAL ID：200903023970940389

金属研磨用組成物

発明者： 高橋 秀明 ,  沖田 光史 ,  横田 昌久
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-096706
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299291
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体基板上の金属膜を平坦化する工程において、低荷重条件下においても金属膜を高速に研磨し、かつスクラッチ、ディッシング等研磨面の欠陥の発生も抑制できる金属研磨用組成物およびそれを用いてなる半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 ヘテロポリ酸(a)および分子内にカチオン性基およびアニオン性基を有する化合物(b)を含有することを特徴とする金属研磨用組成物。(a)および(b)の相互作用によりエッチング性が低下し、ディッシング、エロージョン等の欠陥の発生が抑制できる。

請求項（抜粋）：

ヘテロポリ酸(a)および分子内にカチオン性基およびアニオン性基を有する化合物(b)を含有することを特徴とする金属研磨用組成物。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 13/06

FI (3件)：

H01L 21/304 622 C ,  B24B 37/00 H ,  C09K 13/06

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17