特許

J-GLOBAL ID：200903023971431844

コバルトシリサイド膜より成る半導体装置及び該装置の製造方法

発明者： 西尾 直治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-249219
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116054
出願日： 1994年10月14日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 シリコン単結晶基板上に形成されるコバルトシリサイドの、シリコン基板の結晶性を反映した結晶配向の整ったコバルトシリサイド膜より成る半導体装置及び該装置の製造方法を提供する。【構成】 Si基板表面にSi酸化膜を形成して、Ti,Co膜を形成した後、熱処理を行うことによりエピライクな、目的とする、ばらつきの少ないコバルトシリサイド膜より成る半導体装置及び該装置の製造方法が提供される。

請求項（抜粋）：

コバルトシリサイド膜より成る半導体装置において、シリコン単結晶基板上に素子分離領域を形成した後、熱酸化を行う工程、酸化物の生成自由エネルギーがシリコン酸化物よりも低い高融点金属を被着した後、Coを被着する工程及び熱処理により拡散層にのみCoSi2 を形成する工程を含んで成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 301 S